在美国硅谷工作近20年后，2004年，尹志尧选择回国创业。19年来，中微公司在中外不对等的竞争中突出重围，书写了半导体设备的中国故事。
尹志尧认为，对半导体设备企业来说，单一的产品、单一的产业布局，面对行业发展周期的波动，很难保证持续稳定的发展，时刻有遭遇风险和危机的可能。
美国硅谷（SiliconValley）以“硅”命名，其传奇也始于半导体鼻祖——仙童半导体（FairchildSemiconductor），从这里诞生了应用材料、泛林半导体等多家知名半导体设备大厂，演绎了一个又一个传奇故事。
而在大洋彼岸的中国，属于中国半导体的故事也正在不断上演，背后离不开一个又一个“开拓者”。
2000年后，随着电子科技类产品的迅速普及和国内支持政策落地，中国半导体行业迎来高速发展期。在这一大背景下，掀起了一波海外人才回国创业的高潮，其中就包括尹志尧等中国半导体行业的“开拓者”。中芯国际、华虹半导体以及中微公司等中国半导体头部企业也相继在这一时期成立。
2004年，成立仅4年的中芯国际登陆港交所。当时，尹志尧已是一位在硅谷工作近20年、拥有丰富的半导体设备研发经验领域的资深专家。尹志尧意识到中国半导体产业的历史机遇，毅然选择回国并主导创立了中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”），从零开始自主研发刻蚀机设备。仅用3年时间，中微公司就研制成功中国第一台CCP（电容性耦合的等离子体源）刻蚀机，实现了零的突破，填补了国内的空白。
从2009年移动互联网的开始兴起到2018年之后新一代信息技术的频频涌现；从智能终端的普及到万物互联的融入我们正常的生活，其中半导体芯片都占据了逐渐重要的地位，慢慢的变成为数字化社会的重要基石，也激发了半导体制造工艺制程的进步。
在这股洪流中，半导体设备承担了生产加工芯片的重任，同时必须要时刻紧跟行业发展的脉络。成立至今，中微公司的发展历史始终紧扣半导体行业发展脉络和周期。公司自研的刻蚀机产品逐步完成了从65纳米到5纳米工艺的全面覆盖，与全球高精度光刻机的匹配，满足行业和客户对先进制程芯片不断的提高的需求，以此成功打入海外市场。如今，中微公司正向着更先进的工艺制程发起冲击。尹志尧回国创业19年来，一直坚守在中微公司管理层一线，把控着重要的战略管理和产品研制，带领公司在半导体设备领域中取得了大量技术突破。如今，中微公司跻身全球刻蚀机设备行业的龙头之列的同时，也缔造了中国半导体制造装备领域的“新范式”。
前不久，人们对中国光刻机等半导体设备自主研发的呼声颇高，但与聚光灯下的光刻机截然相反的是，刻蚀机却一直被低估，甚至被误读。
众所周知，半导体芯片制造工艺的复杂程度极高，涉及数千道工序和大量专业设备。其中，刻蚀机很容易与光刻机混淆。SEMI 2021年多个方面数据显示，总额达到875亿美元规模的晶圆制造设备市场中，刻蚀机的占比约为20%。可以说，刻蚀机是仅次于光刻机的重要半导体设备，但刻蚀机的复杂难度丝毫不亚于光刻机。
从原理上来看，光刻机的用途是将芯片设计电路结构通过光线投射到半导体晶圆上，而刻蚀机则通过化学或物理方法去除晶圆表面不必要的部分，实现微观雕刻。如果将光刻机比作木匠用墨线在木板上画线，那刻蚀机就等于在木板上按照墨线纳米制造工艺的芯片，相当于人的头发丝直径差不多一万三千分之一那么小的尺度。刻蚀机就是在这样的尺度上进行雕刻。”中微公司董事长、总经理尹志尧如此向福布斯中国形容刻蚀机的用途，也表达了其技术的难度和重要性。
坚持创新和差异化，应对不对等竞争面对体量和研发投入都相差甚远的海外巨头，中微公司怎么样应对如此不对等的竞争局面？尹志尧多次提到“创新”和“差异化”。他强调，中微公司不会走海外巨头的老路，而是选择全新的技术路径和方向，从零开始实现技术突破，走上一条独立自主发展道路。例如，电容性等离子体刻蚀设备的研发过程中，在海外厂商还未意识到之前，公司就开创性地推出了甚高频去耦合等离子体刻蚀技术，从而快速在全球市场站稳了脚跟。
在2022年全球刻蚀设备市场排名中，中微公司的市场占有率排名第四位，前三位为泛林半导体（LamResearch）、日本东京电子（TokyoElectron）和美国应用材料（AppliedMaterials）三家老牌海外巨头。由于刻蚀机门槛高、技术难度大，作为后起之秀的中微公司已实属不易。
年报显示，中微公司从2012年到2022年十年的平均年营业收入从始至终保持高于35%的增长率。即使行业处于周期低谷中，中微公司业绩仍保持快速地增长。以2023年上半年为例，尽管中国市场集成电路设备同比下降约33%，公司依然实现了营收25.27亿元，同比增长28.13%，归母净利润10.03亿元，同比增长约114.4%。
以多品类的战略布局，抵御行业周期对于半导体行业的周期性特征，尹志尧有着深刻的理解。在他看来，对半导体设备企业来说，单一的产品、单一的产业布局，面对行业发展周期的波动，很难保证持续稳定的发展，时刻有遭遇风险和危机的可能。
为了尽可能规避行业不景气和国际局势的影响，中微公司在产品布局上另辟蹊径，制定了多品类的战略布局。除了主营的刻蚀机产品外，中微公司还布局了薄膜机、检测机等半导体设备，同时大胆向LED显示和照明、太阳能电池、传感器等泛半导体设备关键领域进行拓展，并积极探索环境保护、大健康、企业网络等战略新兴领域的发展机会。
一个典型的例子是，2010年，尹志尧敏锐地发现，原本用来加工LED照明芯片的MOCVD设备，将成为半导体化合物材料制备的关键技术之一。经过提前地分析研判，中微公司在完成该领域布局短短一年的时间内，就将MOCVD设备的全球市场占有率从5%提升至70%，一举成为全世界市占率第一的MOCVD设备供应商，从而极大的提升了公司营运抗风险周期波动的能力。
半导体始终是一个全球化的产业，任何一个国家或地区都没办法实现半导体供应链的自给自足，必须依靠全球化的协同合作。然而，在逆全球化思潮及供应链重构等趋势下，原本半导体行业全球化格局已经被打破。同时，在中国半导体国产替代加速的当下，如何从参与者转向贡献者、引领者，已成为中国半导体厂商无法回避的课题。
不可否认的是，目前包括高精度光刻机在内，中国半导体产业链中的多个关键技术环节仍落后并受制于海外巨头，但从中微公司近20年的发展历史来看，坚持自主研发、技术创新，依靠差异化的思维及另辟蹊径的技术路径，已然成为中国半导体及科技公司突出重围并走向全球市场的“杀手锏”。当然，这也或将为中国光刻机等半导体关键技术的突破带来启发。
中微自2004年成立以来，始终致力于开发和提供微观加工所需的高端关键设备，根据先进制程工艺最前沿的发展，并与国际领先的客户携手前行。目前，公司取得成绩主要归功于对产品的合理布局以及从始至终坚持的“创新”和“差异化”的理念。首先，通过产品的合理布局，企业主要聚焦在半导体芯片制造设备行业中最关键的设备上。我们所从事的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是集成电路前道设备市场最大的两种设备。特别是等离子体刻蚀设备是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高、市场增长最快的设备，占半导体前道设备总市场的约22%。
而我们开发的导体化学薄膜沉积设备LPCVD（低压化学气相沉积）和外延设备EPI是最关键的设备品类。此外，公司还通过投资布局了集成电路第四大设备市场——光学检测设备。
另一类主打产品MOCVD设备，是三五族化合物半导体制造的最关键的核心设备，该高端外延设备的应用从照明，向大面积显示屏、功率器件、微显示等新兴领域迅速扩展，市场领域扩展迅猛。
其次，在产品研究开发、设计和制作的完整过程中，我们坚持“创新”和“差异化”。在CCP电容性高能等离子体刻蚀设备的研发过程中，开创性地推出了甚高频去耦合等离子体刻蚀技术；在ICP电感性低能等离子体源的开发过程中，设计了新型电感线圈架构，以减少电容性耦合引起的不良作用；在MOCVD（金属有机物化学气相沉积）设备的开发过程中，公司设计了精确定位的托盘锁定机制。为增加产能输出、大大降低客户成本，公司在等离子体刻蚀设备中采用了双反应台技术，即一个反应腔中配置两个反应台，同时加工两片晶圆。
过去的2022年和今年上半年，外部形势依然严峻，国际集成电路产业在经历了短暂的快速地发展后进入了调整期，国际政治环境给国内集成电路行业发展，特别是高端设备市场造成了相当的负面影响。中微积极应对复杂环境的考验，上下一心，与客户和供应厂商密切合作，取得了超出预期的成绩。其中，公司的综合竞争优势继续得到强化和提升，各项营运的KPI指标达到国际最先进半导体设备企业的水平。同时，公司很重视团队总能量的最大化和在市场上竞争的净能量最大化，劳动生产率逐步的提升，2023年上半年人均年化营业收入达到约350万元。
虽然目前全球有能力参与微观加工高端设备主流市场之间的竞争的企业非常有限，我们在这些高端设备领域已有领先的布局与影响力。公司累计已有约3,700个等离子体刻蚀和化学薄膜的反应台，在国内、亚洲和欧洲的100多条生产线，全面实现了量产和大量重复性销售，在过去的十年中在线总台数的年平均增长超过35%，赢得了众多客户和供应厂商的信任和支持。
：在芯片生产设备中，刻蚀机是最难的设备之一，最初为什么选择这一高端领域？又是如何攻克难关的？公司开发的刻蚀设备和MOCVD设备等已确定进入国际领先行列，背后有做了哪些努力和创新？
2004年，我与十几位硅谷半导体设备专家一起回国创立中微，同时一直紧跟先进制程工艺最前沿的发展，与国际最强的半导体设备公司同步前行。此前，我在半导体芯片和设备产业已有近20年的行业经验，专攻的就是刻蚀机设备，所以创业也选择了这一领域。经过多年努力，公司已开发出有技术创新、差异化和自主知识产权保护的完整系列等离子体刻蚀设备。大量客户的验证数据证明，中微的刻蚀设备系列新产品，可以覆盖90%以上绝大多数的刻蚀应用，已达到并在某些方面超过了国际竞争产品的性能，为客户提供高性价比的解决方案。
工欲善其事，必先利其器。攻克高端设备的难关，有利于形成技术壁垒。例如，2004年，中微公司就首创了甚高频去耦合的离子反应刻蚀的等离子体源（Decoupled RIE），后来成为国际领先的半导体设备公司的刻蚀机广泛效仿采用的等离子体源，为介质刻蚀特别是极高深宽比刻蚀提供了根本的解决方案。此外，单台和双台刻蚀反应器的独特设计、大马士革一体化刻蚀机以及极高深宽比刻蚀等技术都突破了瓶颈，获得众多客户的批量订单，市场占有率不断提升。
除刻蚀设备外，中微公司制造的用于氮化镓基LED生产的关键设备——MOCVD设备，在新一代Mini-LED产业化中，在蓝绿光LED生产线上取得了领先的地位。其中，用于氮化镓功率器件的MOCVD设备PrismoPD5®也已经在客户生产线上验证通过并获得重复订单，下一代用于氮化镓功率器件制造的MOCVD设备正在按计划顺利推进。目前，公司正在开发用于碳化硅功率器件的外延设备，以及制造Micro-LED的MOCVD专用设备，也将推向市场。如今，中微推出的一系列微观加工的设备产品已在性能和性价比上都进入国际三强行列，部分产品甚至进入二强和一强地位。
半导体设备产业，包括集成电路关键设备和泛半导体设备的产业和市场，是高科技领域增速最快的产业之一，但受下游市场及终端消费市场需求波动的影响，发展往往呈现一定的周期性。对设备企业来说，单一的产品、单一的产业布局，面对行业发展周期的波动，很难保证持续稳定的发展。对此，中微提出了“三维发展”战略：深耕集成电路关键设备领域；拓展泛半导体关键设备领域；且不断利用公司的核心竞争力，探索在新兴科技领域的市场机会。
具体来说，在集成电路设备领域，扩大在刻蚀设备领域的竞争优势，延伸到薄膜、检测等其他关键设备领域；扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备；探索更多集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域的市场机会。
在高度竞争的产业形势下，公司还通过投资、并购国内外高端的半导体设备及关键零部件厂商或与海内知名设备厂商进行合作开发，使公司能够覆盖更多的产品品类、占领更多细分市场，为公司的长期可持续成长奠定基础。
无论市场环境的变化和各种不确定因素的影响，展望未来发展，中微公司将持续通过创新发展进一步提升公司产品的竞争力和知名度，早日成为国际一流的半导体设备和高科技领先企业。首先，持续高水平研发投入，提前布局产业发展。公司将继续面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，持续进行高水平的研发投入，从而保持并提升公司的核心竞争力。在持续改善现有设备的性能的同时，按照每个客户的市场需求，定义下一代产品的技术指标和技术路线，研发能满足新需求的新产品。公司将致力于通过坚持不懈的自主创新，开展产品研发的提前布局，继续保持高端设备产品和技术的世界先进水平。
其次，中微将立足现存技术和产品竞争优势，逐步加强以共性技术为基础，深耕集成电路关键设备领域（刻蚀设备、薄膜设备、检测设备等）、扩展在泛半导体设备关键设备领域（MOCVD、MEMS、显示和太阳能设备等），并探索其他新兴领域（环保设备、工业网络站点平台、大健康设备等）的机会，早日在规模和竞争力上成为全世界一流的微观加工设施企业。
最后，秉承“攀登勇者，志在巅峰”的企业精神，深入贯彻“四个十大”企业文化，依据业务发展需求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法，建立完整公司科学化、规范化的人力资源管理系统，持续引进国内外高端专业人才，并通过系统性培训等措施持续提升员工专业能力，不断攀登新的发展高峰。
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