11 月 9 日 ，誉鸿锦半导体二期产业园项目厂房举行整体的结构封顶仪式，标志着公司氮化镓 Super IDM 全产业链的布局与建设取得重大进展。西咸新区泾河新城管委会领导，江苏商会代表，参建方代表，誉鸿锦半导体董事长闫怀宝，誉鸿锦总工酒井教授，誉鸿锦全体员工出席了封顶仪式。
誉鸿锦半导体代表在封顶仪式上致辞，他表示，整体的结构的封顶，标志着项目建设取得了阶段性进展，为后续施工和产业目标的实现奠定了坚实的基础。同时将和设计方、施工方和监理者们携手并肩继续合作，进一步严把质量关，加强安全管理，为二期圆满竣工和顺利投产创造有利条件，将项目打造成半导体产业集群。
誉鸿锦半导体产业园项目由江西誉鸿锦芯片科技有限公司投资开发建设，以氮化镓芯片研发与制造为中心，集成半导体产业链上游设备材料、下游终端应用，全面打造 Super IDM 产业集群。该项目位于江西省抚州市高新技术产业区，总建筑面积约 26.2 万㎡。项目于 2022 年 7 月正式开工建设，整体的结构提前 1 个月完成里程碑工期，二次结构已提前施工，首条批量线 年底前建成，月产能为 6-7 万片。项目全部建成投产后，每月产能将达到 25 万片，届时将成为全世界最大的氮化镓 IDM 工厂。
誉鸿锦用 1.5 年实现了从建厂 (一期产业园) 到中试线 万片，一期产业园同时具备了在行业里数量最多、工序最为齐全的设备产线。二期产业园项目的建成投产，将大规模启用誉鸿锦自研和国产扶持的半导体设备，如 MOCVD、蚀刻机等关键设备。目前自研的 MOCVD 设备已经上线并进入最后的调试阶段，经过中试线成熟生产的基本工艺调整，其后续建设、调试和量产的速度会极其迅速，将进一步大幅度减少相关成本、提高效率。同时誉鸿锦订购的十多台光刻机将于明后两年陆续到货进厂，也将全部应用于二期产业园的生产线。届时将会为大家同步最新的设备端消息。
誉鸿锦二期产业园项目的顺利封顶，标志着誉鸿锦 Super IDM 产业效率革命的实现按下“快进键”，加速推动氮化镓器件全面普及。
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