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六大NAND FLASH厂商产业营收详情汇总

来源:PCB设备    发布时间:2024-03-27 13:10:36

简要描述:

调查显示,2020年第四季NAND Flash产业营收为141亿美元,季减2.9%。该季度全世界...

  调查显示,2020年第四季NAND Flash产业营收为141亿美元,季减2.9%。该季度全世界前六大NAND FLASH分别为、铠侠、西部数据、SK海力士、美光与

  受惠于中国智能手机生产厂商积极抢食市占而提升备货,以及笔电需求进一步增长,三星电子订单需求优于原先预期,使其2020年第四季NAND Flash位元出货量季增达7~9%。

  但由于data center客户采购力道不足,且enterprise客户仍着重库存去化,供过于求状态较为显著,平均单价下滑超过10%,第四季NAND Flash整体营收达46.44亿美元,季减3.4%。

  华为(Huawei)终止备货后,铠侠在mobile端的位元出货未能透过另外的品牌厂商的订单填补,加上整体enterprise SSD市场需求低落,但受到笔电、游戏主机需求挹注,整元出货得以呈现小幅增长;平均销售单价则因市场仍处于供过于求,而呈现8~10%的下跌,第四季NAND Flash营收达27.49亿美元,季减11.4%。

  受server客户仍处库存去化周期影响,西数2020年第四季合约价走势呈现疲弱,季跌9%。然受惠于通路端销售持续增长,以及client SSD因笔电需求持续上升,整元出货仍有7%增长,大致抵消对价格下跌造成的冲击,第四季NAND Flash营收仅衰退2.1%,达20.34亿美元。

  同样受惠于中国厂商的积极拉货,2020年第四季SK海力士位元出货季增达8%,而平均销售单价主要受市场供过于求影响,季跌8%。价跌量增之下,第四季NAND Flash营收大致持平于上季,达16.39亿美元,季减0.2%。

  受惠于智能手机客户备货力道延续,以及美光QLC SSD产品在PC OEM的需求持续增加,使其在2020年第四季位元出货上升17~20%,平均销售单价同样因市场需求仍疲弱而下跌约10~13%,第四季NAND Flash营收为15.74亿美元,季增2.9%。

  历经2020年第三季因data center及enterprise客户去化库存,导致近25%的位元出货衰退后,第四季英特尔客户采购动能虽仍疲弱,但已较上季恢复,加上PC OEM的需求持续挹注,使其位元出货恢复增长近25%。平均销售单价方面则同受市场供过于求影响,下跌近20%,第四季NAND Flash营收为12.08亿美元,季增4.8%。

  随着3D NAND Flash堆栈达到90层以上,主要供应商在更高层数蚀刻及堆栈技术的发展难度逐渐增加。观察各供应商的技术路线XX层的产品世代已有分歧:尽管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128层产品,但铠侠/西数(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特尔(Intel)的112/128/144层产品要到下半年才会放量,相比前几代3D NAND产品的发展进程来得更久,有利于长江存储的128层产品迎头赶上。

  除此之外NAND Flash的价格平均跌幅达46%,导致主要供应商陷入亏损,资本支出因而转为保守,产出增长规划亦创下历史新低,这也让长江存储有了拉近差距的机会。

  身为新进供应商的长江存储目前拥有武汉厂,除了扩张规划积极,长江存储也是国家大基金的重点扶植厂商,可以预期NAND Flash市场之间的竞争将更为严峻,长期价格面临持续走跌的压力。

  NAND Flash下游市场最重要的包含数据中心消费电子、移动通信、汽车、工业等领域。作为重要的细分市场,智能手机的景气度对存储厂商营收有着较大影响。智能手机需求下降的压力,最后导致铠侠的位元出货下跌近4%。市场整体缺货的情境下, NAND Flash产品的平均销售单价仍有小幅度上涨。整体看来,存储器有着朝更大容量、更快读取速度发展的趋势,叠加季节性因素,市场预期智能手机存储市场将继续扩张。

  本文由电子发烧友综合报道,内容参考自TrendForce、长江存储、全球闪存市场,转载请注明以上来源。

  是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR

  存储器? /

  的区别 /

  因其具有容量大、成本低、寿命长的特点,被广泛的用作数据存储的解决方案。然而NandFlash的读写控制较为复杂,

  接口读写实现 /

  存储器是一种常用的非易失性存储器,大范围的应用于各种电子设备中。它们的价值在于它们能快速读取和写入数据

  的技术对比 /

  随着信息技术的快速的提升,数据存储需求日渐增长。作为一种新型的非易失性存储器,

  原理深度解析(下) /

  = not AND(与非),NOR = not OR(或非),也有一定的可能是NMOS AND/OR

  的差别 /

  是一种非易失存储器,也就是掉电不丢失类型,现在我们常见的存储设备基本都是

  接口简单介绍 /

  存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了超高的性价比、高性能的解决方案。

  ,性能更优,但体积较大,使用并没有后者广泛,多使用在嵌入式,物联网,工业等领域。

  的结构和基本工作过程 /

  一、什么是pSLC pSLC(Pseudo-Single Level Cell)即伪SLC,是一种将MLC/TLC改为SLC的一种技术,现

  基本结构和特点介绍 /

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