台积电获得FinFET器材及其构成办法专利可通过等离子体清洁工艺构成氢自由基

  专利摘要显现，本揭露触及FinFET器材及其构成办法。一种办法有在衬底上方构成鳍，与鳍相邻构成阻隔区域，在鳍上方构成虚设栅极结构，以及运用榜首蚀刻工艺洼陷与虚设栅极结构相邻的鳍以构成榜首凹槽。该办法还包含在榜首凹槽上履行等离子体清洁工艺，等离子体清洁工艺包含将衬底放置在坚持器上，该坚持器被设置在工艺腔室中，将坚持器加热到300℃至1000℃的工艺温度，将氢气引进被衔接至工艺腔室的等离子体生成腔室中，点着等离子体生成腔室内的等离子体以构成氢自由基，并将凹槽的外表露出于氢自由基。该办法还包含在榜首凹槽中外延成长源极/漏极区域。