在芯片制作的完整过程中，为了将掩模版上的设计线路图形转移到硅片上，第一步是要通过曝光工艺（光刻）来实现转移，然后通过刻蚀工艺得到硅图形。光刻技术最早应用于印刷行业，并且是早期制造PCB的主要技术。自20世纪50年代开始，光刻技术逐步成为集成电路芯片制造中图形转移的主流技术。
过去几十年里，芯片制造商一直使用193nm波长的ArF深紫外(DUV)光刻技术来生产芯片。
不过随着集成电路制造工艺持续微缩，尤其在进入7nm、5nm时代后，芯片集成度不断的提高，在追求更高的图形密度的目的之下，无论如何改进ArF光的生产的基本工艺，都无法再满足相应需求。
因为在7nm节点集成电路产品工艺技术的开发上，采用193浸式（193i）光刻技术有必要进行四重曝光，这在某种程度上预示着需要多次更换掩膜版，使得在多重对准方面面临极大的挑战，良品率难以提高、量产难度增大。
为解决这一问题，极紫外（EUV）光刻技术适时而生。因其波长短（13.5nm）、分辨率比较高，可以在一定程度上完成更好的保真度，且只需进行单次图形曝光，减少了掩模版数目，促成了更高的成品率，因此成为应用于10nm以下，比DUV多重曝光技术成本更低的一种光刻技术。
然而，当工艺推进至5nm节点时，即使采用EUV技术，也有必要进行双重曝光，这样才能轻松的获得更为紧密的图案间距。
另外必须要格外注意的是，根据摩尔定律，芯片集成的晶体管数目与日俱增，尽管对工艺的要求慢慢的升高，但行业始终面临着相当大的瓶颈——即分辨率的提高，而现实是更小波长的光刻机难于制造。
因此考虑到在最先进的工艺下单掩膜 EUV 分辨率面临的挑战以及双重曝光 (DP) 光刻-蚀刻-光刻-蚀刻 (LELE) 工艺固有的对齐问题，自对齐多重曝光工艺发展为行业趋势。
现下，最常见的自对齐多重曝光技术被称为自对齐双重曝光 (SADP)，同时SADP 中所用的技术也可轻松沿用至自对齐四重曝光 (SAQP)。
但问题又来了：在使用掩膜印制电介质阻挡的过程中，通常缩小至小于新工艺的间距会增加工艺变异，从而增加对阻挡的可印制性约束。因此，必须优化阻挡形状的放置，然而通过添加冗余金属的技术则必须要考虑增加的电容问题。
所以自对齐光刻-蚀刻-光刻-蚀刻（SALELE ）工艺出现了，其不添加任何冗余金属，意味着没有额外的电容，可以说，该技术结合了自对齐多重曝光和 LELE 工艺多个方面。
如今，自对齐多重曝光工艺已成为最先进工艺的必要条件，可避免与 DP/TP/QP LEn工艺相关的未对齐问题，并提高了图形保真度；而这其中，IMEC 和 Mentor共同创建、优化、设计和支持的可用来生产的SALELE 工艺，则具备一些更有前景的优势。关键字：引用地址：EUV光刻技术的杰作，5nm及以下节点的多重曝光工艺
相较于市场上的10奈米技术，5奈米制程可在相同的耗电下提高40%的效能，或是在相同效能下减少75%的耗电，对于节能或仰赖更高运算的人工智能、VR、云端应用大有帮助。 IBM于周一（6/5）宣布，已与三星、GlobalFoundries及别的设备供货商共同开发出可打造5奈米芯片的制程，并准备在本周于日本京都举行的2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits研讨会中公布细节。 相较于7奈米芯片可存放200亿个晶体管，5奈米技术则可在指甲大小的芯片上存放300亿个晶体管。 若相比于市场上的10奈米技术，5奈米技术在固定的用电量上可提高40%的效能，或是在同样的效能上可减少75%的电力损耗
半导体芯片公司都绕不开摩尔定律这一个话题，这个定律是Intel联合创始人戈登·摩尔在1965年提出来的，指引了50多年来半导体产业的发展——每2年芯片的晶体管密度就会提升一倍，性能也会提升一倍。 但是在进入10nm及以下工艺之后，摩尔定律一直被认为是失效了，芯片制造越来越难，成本也慢慢变得高，性能翻倍、成本降低已经很难同时做到了。不过在这样的一个问题上，Intel一直坚定捍卫摩尔定律，不承认失效的问题。 AMD公司CEO苏姿丰日前参加了SEMICON West会议，并发表了主题演讲，她就提到了半导体工艺与摩尔定律的问题，AMD的观点倒是很符合Intel的想法，那就是摩尔定律还会继续有用，但已经放慢了。 苏姿丰以CPU、GP
芯片成本将翻5倍 /
据国外新闻媒体报道，苹果首款基于 Arm 架构的 Mac 芯片 M1，已经推出，也一并推出了搭载 M1 芯片的 MacBook Air、13 英寸 MacBook Pro 和 Mac mini。 苹果首款自研 Mac 芯片 M1，是在 11 月 11 日凌晨的发布会上推出的，采用 5nm 工艺打造，集成 160 亿个晶体管，配备 8 核中央处理器、8 核图形处理器和 16 核架构的神经网络引擎，苹果方面表示其 CPU、GPU、机器学习的性能及能效，较目前的产品均有明显提升。 在首款自研 Mac 芯片顺利推出，MacBook Pro 等硬件产品搭载的情况下，致力于 Mac 产品线在两年内全部转向自研芯片的苹果，预计也在
华为宣布将在2020年德国柏林国际电子消费品展览会（IFA 2020）上举行主题演讲，时间是当地时间9月3日下午2点。根据以往惯例，华为或发布麒麟9000处理器，Mate 40系列将首先搭载这款芯片。 据了解，麒麟9000采用台积电5nm工艺。 月初，余承东表示，由于美国的制裁，华为领先全球的麒麟系列芯片在9月15日之后无法制造，将成为绝唱。 在这次演讲的海报图上，华为称将展示 无缝智慧生活 。 此前，华为为了应对“禁令”所带来的危机，提前向台积电追加了一笔芯片订单，确保最新最强的麒麟9000芯片得到量产，在禁令实施前，虽然麒麟芯片的产能只有800万枚，但这也是没有很好的方法的事情，也可以满足一部分华为mate旗
麒麟9000芯片或亮相IFA 2020，或成为绝唱 /
这事没法“低调” 中微半导体设备（上海）股份有限公司（下简称“中微”）董事长兼CEO尹志尧在网络上有两个身份，一个是“打破格局！颠覆核心技术！外企独霸的时代宣告结束！！巨头们彻夜无眠！”的震惊式“王炸”，一个是“埋头苦干，恳求媒体务实报道的”中国芯工程师。 前者，是去年媒体对尹志尧博士受访时一句“5纳米今年年底基本上就要定了，现在进展特别快”的疯狂渲染，所意淫出的一个宇宙级战士。后者，则是尹志尧博士口中的自己。 尹志尧（图片来自：红网） 在如今感叹号已经不值钱的年代，对中国半导体产业颇有贡献的尹志尧，真实的样子是什么呢？笔者将从官方介绍和相关专访资料中还原出来。 尹志尧出生于1944年，中学就读于久负盛名的北京
据国内数码博主爆料，联发科n4旗舰芯为天玑9000，而n5次旗舰芯可能为天玑7000，其将采用台积电5nm工艺。 该博主透露，天玑7000工程机跑分75W±，在骁龙870和骁龙888之间。作为天玑1200的迭代，台积电+ Arm新架构如果能控制好功耗，放到中端价位段非常存在竞争力。 联发科此前发布了全球首颗采用台积电4nm的智能手机处理器天玑9000，采用最新的Arm V9 CPU架构和Arm Mali-G710十核GPU，安兔兔跑分高达1007396分。 预计天玑7000将于明年上半年正式发布
工艺，介于骁龙870和888间 /
据外媒报道，高通5nm旗舰处理器骁龙875将首次采用Cortex X1超大核心。消息称高通骁龙875采用“1+3+4”八核心设计，其中“1”为超大核心Cortex X1。以往高通骁龙旗舰处理器也采用过“1+3+4”这种“超大核+大核+能效核心”这样的三丛集八核心架构，但是超大核和大核之间的差别主要在于CPU频率。 高通骁龙875芯片结构（图源来自互联网） 高通骁龙芯片一直是众多手机生产商的首选品牌，跟着时间的推进新一代的旗舰芯片骁龙875也逐渐进入大家视野，就在9月19日外媒有消息传出高通5nm旗舰处理器骁龙875将采用“1+3+4”八核心设计，其中“1”为超大核心Cortex X1，这也是该系列首次采用Cortex X1超大核
芯片骁龙875结构解密：采用Cortex X1超大核 /
Intel CEO Paul Otellini近日对投入资产的人透露，半导体巨头慢慢的开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说： “我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。” 按照路线nm工艺之后， Intel将在2013年进入14nm时代 ，相应产品代号Broadwell。 下一站是10nm ，目前还在早期研究阶段，预计2015年左右实现。 7nm、5nm现在都处于理论研究阶段，具体如何去做还远未定案，而且随着硅半导体技术复杂度的大幅提高，相信实现它们的代价也会高得多，即便是Intel这样的巨头也会感到很棘手，不过Paul
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