6月12日讯：东京电子（TEL）近来宣告，已开宣告一种用于存储芯片的通孔蚀刻技能，可用来制作 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。TEL 表明，该技能初次将电蚀刻使用带入到低温规模中，并创造性地发明晰具有极高蚀刻速率的体系。
详细而言，这项新技能能在短短 33 分钟内完结 10 微米深度的高纵横比（IT之家补白：纵横比是指晶圆上构成图画的深度与宽度之比）蚀刻，与此前的技能比较耗时大幅度缩短。TEL 介绍，该技能的使用不只有助于制作更高容量的 3D NAND，还可以将出产的根本工艺中给全球变暖形成的危险削减 84%。
TEL 预告，研制团队将于 6 月 11 日-16 日在日本京都举办的 2023 年超大规模集成电路技能和工艺研讨会上发布最新效果和陈述。
原标题：400 层堆叠 3D NAND 闪存将至，东京电子宣告开宣告全新蚀刻技能
